本文摘要：韩国科学技术研究院公布消息称之为，该院光电材料研究小组将钨硒2维纳米膜与1维氧化锌纳米线双重融合，研发出能感官从紫外线到将近红外线的下一代光二极管元件。该研究成果在国际学术期刊《AdvancedFunctionalMaterials》（IF）上刊出。光二极管元件是影响手机摄像头、数码相机像素的最重要部分，在摄像头中用于的图像传感器可通过光二极管元件感官光线后转换成电子信号，然后通过芯片对信号展开处置。 较低维纳米半导体材料是未来半导体材料的主要发展方向。

韩国科学技术研究院公布消息称之为，该院光电材料研究小组将钨硒2维纳米膜与1维氧化锌纳米线双重融合，研发出能感官从紫外线到将近红外线的下一代光二极管元件。该研究成果在国际学术期刊《AdvancedFunctionalMaterials》（IF）上刊出。光二极管元件是影响手机摄像头、数码相机像素的最重要部分，在摄像头中用于的图像传感器可通过光二极管元件感官光线后转换成电子信号，然后通过芯片对信号展开处置。

较低维纳米半导体材料是未来半导体材料的主要发展方向。此次研究组用于的钨硒2维纳米膜归属于硫属元素的一种，是可以在坚硬显示屏、传感器、坚硬电子元件用于的2维压层结晶纳米P型半导体材料，具备长久轻巧、准确性低的特点。

而1维氧化锌（ZnO）纳米线，是一款可应用于高性能电子芯片的n型半导体材料，具备极好的电子移动特性。研究组运用化学气象沉积方法将制备的1维氧化锌纳米线与2维纳米膜混合构成（PN）型光二极管元件，将其运用到图像传感器像素中。

研究组负责人回应，此次研发的新型元件，将更进一步推展以纳米半导体像素为基础的下一代图像传感器元件的商业化进程。

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